硅有其两种基本形态:晶态和非晶态,其中晶态又分为单晶硅和多晶硅,它们的结构特性各异。
首先,单晶硅作为晶体的一种,其结构精密,具有完整的点阵结构,各方向性质各异。它是优质的半导体材料,用于制造半导体器件和太阳能电池。通过在单晶炉中拉制高纯度多晶硅得到。熔融硅在冷却过程中,硅原子按照金刚石晶格排列形成多个晶核,只有当这些晶核沿同一晶面生长,形成晶粒取向一致的单晶硅。
单晶硅表现出准金属的物理特性,导电性适中且随温度上升增强。其晶体硬度高,有金属光泽,但导电性不及金属。随着温度升高,其半导体特性更为显著,如图所示。
多晶硅的结构则更为复杂,由金刚石晶格排列的多个晶核组合而成,晶面取向各异。它呈现出灰色金属光泽,熔点和沸点较高。多晶硅的性质介于锗和石英之间,室温下脆性,加热后有延展性。多晶硅是重要的半导体材料,但杂质对其导电性影响显著。
非晶态硅,又称无定形硅,为单质硅的另一种形态,其结构不规则,没有完整的金刚石晶格。纯度相对较低,熔点、密度和硬度都低于晶体硅。非晶硅应用广泛,如场效应晶体管、液晶显示器件等,同时在传感器和复印技术中也发挥重要作用,其潜力随着科技发展不断被挖掘。
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